بررسی اثر لیرز کم توان 904nm) Ga-As ) بر بیان فاکتورهای آنژیوژنیک (VEGF، NO، VEGFR-2، HIF-1α )، اکسیژن اشباع شده خون شریانی و سطح زخم در بیماران مبتلا به زخم پای دیابتی ایسکمیک

اختلال در عروق خونی و ساخت عروق جدید منجر به مقاوم بودن زخم مزمن پای بیماران دیابتی نسبت به درمان می گردد. کاهش تولید فاکتورهای آنژیوژنیک یکی از عوامل مهم دخیل در مهار ساخت عروق جدید در زخم پای دیابتی است. درمان با لیزر کم توان یکی از روشهای درمانی است که ممکن است بر آنژیوژنز و فاکتورهای موثر بر آن در محل زخم تاثیر گذار باشد. هدف از این مطالعه بررسی تغییرات فاکتورهای VEGF، VEGF Receptor-2، HIF-1α و NO در سرم خون، اندازه گیری سطح اکسیژن اشباع خون شریانی در اطراف محل زخم و اندازه سطح زخم بعد از لیزر درمانی است،به این منظور، 30 بیمار مبتلا به زخم پای دیابتی ایسکمیک به طور تصادفی و یک سویه کور(بیماران) در دو گروه لیزر درمانی با لیزر Ga-As بیمار (15 بیمار) و پلاسبو (15 بیمار) قرار گرفتند. در گروه لیزر درمانی، لیزر (2j/cm2)همراه با درمان معمول و در گروه پلاسبو درمان معمول همراه با لیزر خاموش، به مدت 12 جلسه و به صورت یکروز در میان اعمال شد. در جلسات اول و آخر، قبل و بعد اعمال مداخله، پلاسمای خون برای اندازه گیری سطح فاکتورهای VEGF، VEGF Receptor-2، HIF-1α و NO از تمام بیماران تهیه می شود. سطح اکسیژن اشباع خون شریانی و سطح زخم نیز در جلسات درمانی اول، ششم و دوازدهم اندازه¬گیری خواهد شد.

دانشگاه تربیت مدرس، تهران